忻州北緯38度集成電路有限公司，東經(jīng)27度北緯38度在哪

這就是一家騙子公司，沒有技術(shù)，全靠忽悠，5年內(nèi)，它一定會現(xiàn)出原形的，立貼為證。

　　該地處于敘利亞庫帶姆(地名)附近，該國境內(nèi)流經(jīng)河流有:幼發(fā)拉底河、阿西河、約旦河;①幼發(fā)拉底河，發(fā)源于土耳其亞美尼亞高原，大體上流向為西北-東南，穿過敘利亞和伊拉克南部，下游在古爾奈與底格里斯河合流為阿拉伯河，注入波斯灣。幼發(fā)拉底河全長約2,800公里(1,740哩)，西南亞最大河流。 支流，哈布爾河，幼發(fā)拉底河的重要支流。發(fā)源于土耳其境內(nèi)，流經(jīng)敘利亞東北部，在敘利亞的哈塞克接納主要支流杰格杰蓋河南下，在代爾祖爾東南面注入幼發(fā)拉底河。全長約320公里(200哩)。②奧龍?zhí)厮购右沧g作歐朗提斯河，阿拉伯語稱為阿西河，是中東地區(qū)一條國際河流。發(fā)源于黎巴嫩的貝卡谷地，向北流經(jīng)敘利亞、土耳其，在土耳其的安塔基亞城西南21公里的蘇維迪耶注入地中海。全長396公里。 ③約旦河是西亞地區(qū)的一條河流，源于敘利亞境內(nèi)的赫爾蒙(Hermon)山，向南流經(jīng)以色列、巴勒斯坦，在約旦境內(nèi)注入死海，全長360多公里，它是世界上海拔最低的河。

你好，很高興為你解答北緯38度，半腦亭質(zhì)量還是可以的在購買的時候，你可以咨詢一下客服讓他幫助你好的介紹一下它的性能本人曾經(jīng)也用過這種半導體，感覺還是可以的希望我的回答對你有用，謝謝

00:00 / 00:2470% 快捷鍵說明 空格: 播放 / 暫停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 單次快進5秒 ←: 單次快退5秒按住此處可拖拽 不再出現(xiàn) 可在播放器設(shè)置中重新打開小窗播放快捷鍵說明

我這里有一份。要的話可以給你發(fā)一份。 2011 年 1月 2日 中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 關(guān)鍵詞：中國集成電路現(xiàn)狀 集成電路產(chǎn)業(yè)是知識密集、技術(shù)密集和資金密集型產(chǎn)業(yè)，世界集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā) 展迅速，技術(shù)日新月異。2003年前中國集成電路產(chǎn)業(yè)無論從質(zhì)還是從量來說都不 算發(fā)達， 但伴隨著全球產(chǎn)業(yè)東移的大潮， 中國的經(jīng)濟穩(wěn)定增長， 巨大的內(nèi)需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產(chǎn)業(yè)已然崛起成為新的世界集成電路制造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發(fā)展自己的電子信息產(chǎn)業(yè)。 它是推動我國經(jīng)濟發(fā)展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產(chǎn)業(yè)基 礎(chǔ)的集成電路產(chǎn)業(yè)必須優(yōu)先發(fā)展。只有擁有堅實的集成電路產(chǎn)業(yè)，才能有力地 支持我國經(jīng)濟、軍事、科技及社會發(fā)展第三步發(fā)展戰(zhàn)略目標的實現(xiàn)。 一、我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速 1998 年我國集成電路產(chǎn)量為 22.2 億塊，銷售規(guī)模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產(chǎn)量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產(chǎn)量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產(chǎn)業(yè)重大變化 2008年是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中出現(xiàn)重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產(chǎn)品數(shù)量明顯減少，占中國出口總 額1/3左右的電子信息產(chǎn)品增速回落，其核心部件的集成電路產(chǎn)品的需求量相應(yīng) 減少。 人民幣升值也是影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內(nèi)集成電 路產(chǎn)品銷售額中直接出口占到70%左右， 人民幣升值對于以美元為結(jié)算貨幣的出 口貿(mào)易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年里，人民幣加速升值值得關(guān) 注。 三、中國集成電路產(chǎn)品產(chǎn)銷概況 中國集成電路產(chǎn)品產(chǎn)銷概況 中國集 2008年中國集成電路產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)業(yè)發(fā)展周期性低谷呈現(xiàn)出增速逐季遞減狀態(tài)， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現(xiàn)了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產(chǎn)量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產(chǎn)品產(chǎn)量和銷售額的情況如圖1和圖2所示： 圖1 2003—2008年中國集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量增長情況 圖2 2003—2008年中國集成電路產(chǎn)品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產(chǎn)品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務(wù)院18號文件頒布后的五年中，中國集成電路產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發(fā)展的狀態(tài)；一般情況下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發(fā)展，因此，在2007年以后， 我國集成電路產(chǎn)業(yè)的年增長速度逐步減緩應(yīng)屬正常勢態(tài)， 在世界集成電路產(chǎn)業(yè)周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經(jīng)濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機后又向經(jīng)濟實體部門擴散，從2008 年開始對中國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發(fā)后，中 國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額就出現(xiàn)了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態(tài)。圖3 是這個變化過程。 圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產(chǎn)品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展得益于產(chǎn)業(yè)環(huán)境的改善， 抵御金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務(wù)總局發(fā)布了《關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu) 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業(yè)所享受的所得稅優(yōu)惠十分 重視。日前通過的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》 ，又把“建立自主可控的集成 電路產(chǎn)業(yè)體系”作為未來國內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大重點任務(wù)之一，在五大發(fā)展舉 措中明確提出“加大投入，集中力量實施集成電路升級”。2005年由國務(wù)院發(fā)布的 《國家中長期科學和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要 (2006━2020年)》(國發(fā)[2005]44號),確定 并安排了16個國家重大專項，其中把“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件 產(chǎn)品”與“超大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務(wù)院常務(wù)會議已審議并原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關(guān)領(lǐng)域提供了良好的發(fā)展契機。 中國各級政府對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 的積極支持和相關(guān)政策的不斷落實， 對我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了積極的影 響。 四、中國集成電路產(chǎn)品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產(chǎn)品制造業(yè)的迅速發(fā)展，在中國市場上對集成 電路產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)出飛速發(fā)展的勢態(tài)，并成為全球半導體行業(yè)的關(guān)注點，即使 中國集成電路產(chǎn)品的需 在國內(nèi)外半導體產(chǎn)業(yè)陷入低迷并出現(xiàn)了負增長的2008年， 求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產(chǎn)品制造業(yè)的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產(chǎn)品市場需求額變化情況如圖 4所示。 圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 設(shè)計、制造和封裝測試業(yè)三業(yè)并舉，半導體設(shè)備和材料的研發(fā)水平和生產(chǎn)能 力不斷增強，產(chǎn)業(yè)鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設(shè)計業(yè)和芯片制造業(yè)的加速發(fā)展， 設(shè)計業(yè)和芯片制造業(yè)所占比重逐步上升，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐漸趨于合理。 2006年設(shè)計業(yè)的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。芯片制造業(yè)2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業(yè)2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設(shè)計業(yè)、芯片制造業(yè)、封測業(yè)的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別占全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 不盡合理。 最近5年來， 在產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大的同時，IC 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐步趨于合理， 設(shè)計業(yè)和芯片制造業(yè)在產(chǎn)業(yè)中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設(shè)計業(yè)、芯片 制造業(yè)、封測業(yè)的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別占全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設(shè)備材料的研發(fā)和生產(chǎn)能力不斷增強。 在設(shè)備方面， 65納米開始導入生產(chǎn)， 中芯國際與 IBM 在45納米技術(shù)上開展合作，F(xiàn)BP（平面凸點式封裝）和 MCP（多 芯片封裝）等先進封裝技術(shù)開發(fā)成功并投入生產(chǎn)，自主開發(fā)的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸硅片已進入生產(chǎn)線使用。在材料方面，已 研發(fā)出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內(nèi)生產(chǎn)能力和供應(yīng)能力不斷 增強。 但是2008年，國內(nèi)集成電路設(shè)計、芯片制造與封裝測試三業(yè)均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中芯片制造業(yè)最明顯，全年芯片制造業(yè)規(guī)模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企業(yè)均出現(xiàn)了產(chǎn)能閑置、業(yè)績下滑的情 況；封裝測試業(yè)普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設(shè)計 業(yè)也受到國內(nèi)市場需求增長放緩的影響， 由于重點企業(yè)在技術(shù)升級與產(chǎn)品創(chuàng)新方 面所做的努力部份地抵御了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態(tài)，為4.2%，高于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的整體增幅。如圖5所示。 圖5 2008年中國集成電路產(chǎn)業(yè)基本結(jié)構(gòu) 六、集成電路技術(shù)發(fā)展 集成電路技術(shù)發(fā)展 我國技術(shù)創(chuàng)新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產(chǎn)線，發(fā)展到目前的 12 英寸生產(chǎn)線，IC 制造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發(fā)了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發(fā)和生產(chǎn) 方面取得了顯著成績。IC 設(shè)計水平大大提升，設(shè)計能力小于等于 0.5 微米企業(yè)比 例已超過 60%，其中設(shè)計能力在 0.18 微米以下企業(yè)占相當比例，部分企業(yè)設(shè)計 水平已經(jīng)達到 100nm 的先進水平。設(shè)計能力在百萬門規(guī)模以上的國內(nèi) IC 設(shè)計企 業(yè)比例已上升到 20%以上，最大設(shè)計規(guī)模已經(jīng)超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產(chǎn)，不僅滿足國內(nèi)市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)和現(xiàn)代制造業(yè)的核心戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，其已成為一些 國家信息產(chǎn)業(yè)的重中之重。 2011年我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將勉勵更好的發(fā)展環(huán) 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出臺，支持研發(fā) 的資金將會增多，國內(nèi)市場空間更為廣闊，我國集成電路產(chǎn)業(yè)仍將保持較快的發(fā) 展速度，占全球市場份額比重必會進一步增大??！ ！ 附錄： 附錄： 中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展大事記（摘自網(wǎng)絡(luò)） 中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展大事記（摘自網(wǎng)絡(luò)） 1947 年，美國貝爾實驗室發(fā)明了晶體管。 1956 年，中國提出“向科學進軍”，把半導體技術(shù)列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應(yīng)用 物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當年，中國相繼研制出鍺點接 觸二極管和三極管（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎(chǔ)。 1962 年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研制出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并 在國內(nèi)首先鑒定了 DTL 型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產(chǎn)品。 這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產(chǎn)，形成中國 IC 產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。 1968 年，上海無線電十四廠首家制成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發(fā)展 MOS 電路的序幕，并在七十年代初，永川半導體研 究所（現(xiàn)電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研制成功 NMOS 電路。之 后，又研制成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設(shè) IC 生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研制成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單臺設(shè)備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最后只有北京 878 廠，航天部陜西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國科學院計算所研制成功 1000 萬次大型電子計算機，所 使用的電路為中國科學院 109 廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的 ECL 型（發(fā)射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產(chǎn)線建成驗收投產(chǎn)， 這是中國第一次從國外引進集成電路技術(shù)。 1982 年 10 月，國務(wù)院為了加強全國計算機和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導，成立 了以萬里副總理為組長的“電子計算機和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導小組”， 制定了中 國 IC 發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對半導體工業(yè)進行技術(shù)改造。 1983 年，針對當時多頭引進，重復布點的情況，國務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng) 導小組提出“治散治亂”， 集成電路要“建立南北兩個基地和一個點”的發(fā)展戰(zhàn) 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一 個點指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出“七五”期間我國集 成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣 5 微米技術(shù)，開發(fā) 3 微米技術(shù)，進行 1 微米技術(shù)科技攻關(guān)。 1989 年 2 月，機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出 了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強科研和支持條件， 振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月，國家計委和機電部在北京聯(lián)合召開了有關(guān)領(lǐng)導和專家參加的座談 會，并向黨中央進行了匯報，決定實施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場為導向，以 CAD 為突破口，產(chǎn)學研用相結(jié)合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工 程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進集成電路產(chǎn)業(yè)進入良性循環(huán)。 1995 年 10 月，電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會，獻 計獻策，加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11 月，電子部向國務(wù)院做了專題匯報， 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔“九 0 九”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建設(shè)。 1998 年 1 月 18 日，“九 0 八” 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產(chǎn)能力。 1998 年 1 月，中國華大集成電路設(shè)計中心向國內(nèi)外用戶推出了熊貓 2000 系 統(tǒng)，這是我國自主開發(fā)的一套 EDA 系統(tǒng)，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規(guī)模達百萬門級，支持高層次設(shè)計。 1998 年 2 月 28 日，我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，這個 項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月，集成電路“九 0 八”工程九個產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)中心項目驗收授 牌，這九個設(shè)計中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四 研究所、上海集成電路設(shè)計公司、深圳先科設(shè)計中心、杭州東方設(shè)計中心、廣東 專用電路設(shè)計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業(yè)自動化研究所和航天工 業(yè) 771 研究所。這些設(shè)計中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線項目配套建設(shè)的。 1998 年 3 月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設(shè)計開發(fā) 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像芯片開發(fā)成功，我國視覺芯片設(shè)計開發(fā)工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導產(chǎn)品 64M 同步動態(tài)存儲器（S－ DRAM） 這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集 。 成電路芯片生產(chǎn)線。 2000 年 7 月 11 日，國務(wù)院頒布了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若 干政策》 隨后科技部依次批準了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)；3 月 28 日，國務(wù)院第 36 次常務(wù)會議通過 了《集成電路布圖設(shè)計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月，中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實現(xiàn) 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內(nèi) IC 設(shè)計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃》重點建設(shè)北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園。